IGBT的静态特性其实并非难以理解的东西,即便是对于外行人而言。刚接触那会儿，看到转移特性、输出特性之类的就想溜之大吉，
2019-10-17 10:08
的导通能量损耗，并在电力电子学的典型模式下扩大开关元件的安全工作区域。使用硅IGBT可以优化器件的成本。这种减少损耗功率的频率相关分量的要求突出了改善IGBT频率
2023-02-22 16:53
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响？
2021-06-08 06:56
基于动、静态电感特性的开关磁阻电机非线性磁参数模型蒋涛(北京航空航天大学，北京100191)摘要：基于Matlab／Simulink．利用动态和静态电感等磁参数建立了一
2021-09-16 07:10
的结果 杂散电感与电流变化率的结合影响着器件的开通和关断电压特性，可以表示为ΔV=L*di/dt。因此，如果器件关断时电感Lσ较大，电压尖峰就会升高。关断行为对栅极电阻很不敏感。这是沟槽场截止
2018-12-07 10:16
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关
2019-09-11 11:31
的可再生能源，而IGBT是光伏系统中主要的功率半导体器件，因此其可靠性对光伏系统有重要影响。IGBT模块的热特性是模块的重要特性
2020-12-10 15:06
，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别：关断损耗特性前面多次提到过，SiC功率元
2018-12-03 14:29
电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT
2019-05-02 22:43
，实现最好的静态均流。2)共用驱动电路通过IGBT驱动电路参数的合理设计和共用同一驱动电路，可以提高IGBT开关速度、减小器件
2015-03-11 13:18
