器件击穿电压的增加而增加。在额定电压高于 200 V 时，MOSFET 的传导性能低于 BJT。 IGBT结合了这两个领域的优点，实现了高性能电源开关：它提供了MOSFET的轻松驱动和BJT的导
2023-02-24 15:29
的结果 杂散电感与电流变化率的结合影响着器件的开通和关断电压特性，可以表示为ΔV=L*di/dt。因此，如果器件关断时电感Lσ较大，电压尖峰就会升高。关断行为对栅极电阻很不敏感。这是沟槽场截止
2018-12-07 10:16
的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不
2021-03-02 13:47
电动汽车、风能/太阳能逆变等所需的核心器件。2、IGBT特性简介图 1 功率MOSFET和IGBT结构示意图IGBT是通
2015-12-24 18:13
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的
2018-08-27 20:50
， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件
2019-03-05 06:00
大电流。对于 Mosfet来说，仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应，因此，很容易实现极短的开关时间。但是，和 Mosfet 有所不同，IGBT器件中少子也参与了导电。所以 IGB 结构虽然使导通压降
2022-09-16 10:21
领域。IGBT集中应用于焊机、逆变器,变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域 。开关电源 (Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择
2018-09-28 14:14
650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高
2021-03-29 11:00
大功率开关电源常用元器件知识之 IGBT和IPM及其应用电路资料来自网络资源分享
2021-06-01 18:37
