本文研究了逆变器核心开关器件IGBT主要参数的选择， 分析三相逆变电路拓扑及功率器件IGBT的应用特点，根据其特点选择合
2019-07-17 08:45
IGBT等功率电子器件在工作中，由于自身的功率损耗，将引起IGBT温度升高。引起功率器件发热的原因主要有两个，一是功率器件
2024-07-19 11:21
说明：IGBT 功率器件损耗与好多因素相关，比如工作电流，电压，驱动电阻。在出设计之前评估电路的损耗有一定的必要性。在确定好功率器件的驱动参数后（驱动电阻大小，驱动电压等），开
2023-02-22 14:05
通、导通和关断是相对于电路和器件特性。二极管的影响硬交换拓扑的恢复性能也很重要讨论说明二极管恢复是主要的决定MOSFET或IGBT导通开关的因素损失。
2022-09-14 16:54
为了降低开关电源中开关器件的开关损耗，介绍一种带辅助管的软开关实现方法，将IGB
2020-07-14 08:00
igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IG
2023-11-10 14:26
英飞凌RC-D功率开关器件系列在单一芯片上融合了市场领先的英飞凌专有技术TrenchSTOP™ IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和续流二极管，具有很低的开关损耗和传导损耗
2011-05-31 09:00
器件击穿电压的增加而增加。在额定电压高于 200 V 时，MOSFET 的传导性能低于 BJT。 IGBT结合了这两个领域的优点，实现了高性能电源开关：它提供了MOSFET的轻松驱动和BJT的导
2023-02-24 15:29
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物
2024-08-08 09:46
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件
2023-09-22 16:54
