本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑 MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电
2017-05-31 10:04
保持电源电压VDD不变，当VGS电压减小到0时，这个阶段结束，VGS电压的变化公式和模式1相同。在关断过程中，t6~t7和t7~t8二个阶段电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。关断损耗可以用下面
2017-03-06 15:19
讨论交流，真正学到知识，现在增加提问，参与回答者赠送张飞实战电子1部精品课程以下是今日问题：1、开关损耗和续流损耗和哪些因素有关系?2、MOS管在H桥电路中体二极管什么时候会续流?`
2021-06-09 09:08
管型避雷器由哪几部分组成？感应电动势的方向与哪些因素有关？
2021-09-24 07:09
如何去正确地使用钳形电流表？通电线圈产生的磁场方向与哪些因素有关？怎样去选用断路器？
2021-09-24 08:01
ok1052的原理图上数据宽度为16位，为何在emwin例程是改为16位后最终屏幕会花屏，lcd的显示速度跟哪些因素有关呢？跟数据的位数有关系吗？
2022-01-12 07:30
坏该开关器件。 由于硬开关存在以上缺点，限制了开关器件工作频率的提高，在软开关
2019-08-27 07:00
请教各位同仁以及IT的工作人员，ISO1430功耗该如何计算？与哪些因素有关（比如供电？速率？总线侧阻抗？）？
2024-12-04 07:57
感应电动势的方向与哪些因素有关？线圈中磁通变化的频率与感应电动势有何关系？电流互感器的变流比是什么意思？
2021-09-24 09:13
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37
