MOSFET 必须持续导通。如果这个开关设计为 N 通道 MOSFET，其栅极电压需要高于电路的输入电压，器件才能运行。如果每次导通之后都需要关断一定时间（
2020-08-31 09:56
控制开关的导通和关断。PWM是一个周期性的方波，周期为T，开关导通时间为T（ON)，开关关断时间为T（OFF)，D为
2021-12-28 06:05
开关电源中的开关管从导通到截止，严格来说是一个非常复杂的过程，但我们在进行工作原理分析的时候，一般都会先对一些非主要问题进行简单化。例如，当电源开关管
2022-02-06 07:00
转换，基本原理就是根据开关的不同占空比而改变升降压的幅度，下面研究下这几种类型输入占空比和输出电压的关系。 对很多新接触开关电源原理的人来说，要清晰描述出经过每个元
2017-03-01 11:45
开关稳压器的占空比经常被认为只与输入和输出电压成比例。但是，当我们仔细查看计算结果时，我们会发现，这个值也反映出了电路损耗。选择会带来更多损耗的组件，比如说具有较高DCR的电感器，会导致占空比
2018-09-04 09:54
的（在导通时，电压低，电流大；关断时，电压高，电流小）/功率器件上的伏安乘积就是功率半导体器件上所产生的损耗。与线性电源相比，PWM开关电源更为有效的工作过程是通过“斩
2021-10-28 08:59
开关管导通时的功耗测试 开通时间Ton(uS) 4.955 (时间测量以电压波形为基准) 开通时电流的最小值Ion-min(A) 0.222 开通时电流的最大值Ion-max(A) 0.644 规格书上的导通电阻Ro
2011-06-10 10:10
怎样把占空比输出到功率器件中？
2022-02-16 07:25
耦合反映到原边的电压值)，在一定电压范围内反射电压提高则工作占空比增大，开关管损耗降低反射电压降低则工作占空比减小，开关管损耗增大。当然这也是有前提条件的，当
2019-08-19 17:07
MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性；其测试电路和开关
2023-02-27 11:52
