本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
时，MOS管的损耗是不容忽视的一部分。下面将详细计算MOS管的损耗。2. MOS管的损耗来源2.1 MOS开关损耗MOS
2021-07-29 06:01
要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导通
2020-08-27 08:07
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多时，A管的
2017-03-06 15:19
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部
2017-02-24 15:05
MOS管的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFCMOS管的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸
2018-11-09 11:43
开关的选择及其损耗
2021-10-29 07:14
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09
边缘计算是指在生成或收集物联网(IoT)数据的网络“边缘”处或附近发生的处理。结合使用边缘计算和边缘分析(包括人工智能和机器学习)的公司，可以获取有价值的实时洞察，从而获得竞争优势。 边缘
2021-07-12 07:18
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断
2021-10-29 07:10
