，高频化可以有效的减小磁性元件的体积和重量，即开关器件的工作频率越高，其体积和重量越小。传统的DCOC变换器中，开关器件工作在硬
2019-08-27 07:00
大于B管，因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时，需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和：从上面的分析可以得到以下结论：（1）减小
2017-03-06 15:19
要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导通
2020-08-27 08:07
一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量
2021-11-18 07:00
所增加，但其增加比例远低于IGBT模块。可以看出结论是：在30kHz条件下，总体损耗可降低约60%。这是前面提到的第二个优势。可见这正如想象的一样，开关损耗小是由组成全SiC模块的SiC元件特性所带来的。关于
2018-11-27 16:37
很简单，需要供电装置才能正常工作的叫有源器件，反之叫无源器件。所有器件（有源和无源）都或者显示损耗特性，或者显示增益特性，如果出来的信号大于进去的信号，表明该
2018-01-19 09:37
很简单，需要供电装置才能正常工作的叫有源器件，反之叫无源器件。所有器件（有源和无源）都或者显示损耗特性，或者显示增益特性，如果出来的信号大于进去的信号，表明该
2017-11-24 10:45
要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导通
2023-03-16 16:37
MOS管开通损耗只要不是软开关，一般都是比较大的。假如开关频率80KHZ开关电源中,由于有弥勒电容，如果关断速度够快是不是MOS管的关断
2021-09-11 23:56
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部
2017-02-24 15:05
