理解功率MOSFET的开关损耗 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01
说明：IGBT 功率器件损耗与好多因素相关，比如工作电流，电压，驱动电阻。在出设计之前评估电路的损耗有一定的必要性。在确定好功率器件的驱动参数后（驱动电阻大小，驱动电压
2023-02-22 14:05
根据开关器件的物理模型,分析了开关器件在Boost 电路中的损耗,并计算了Boost PWM 和PFC 两种不同电路的
2009-10-17 11:06
根据开关器件的物理模型 ，分析了开关器件在 Boost 电路中的损耗 ，并计算了 Boost PWM 和PFC 两种不同
2021-05-11 11:01
MOSFET才导通，因此同步MOSFET是0电压导通ZVS，而其关断是自然的0电压关断ZVS，因此同步MOSFET在整个开关周期是0电压的开关ZVS，开关损耗非常小，几乎可以忽略不计，所以同步MOSFET只有RDS(
2012-04-12 11:04
电源开关损耗是电子电路中一个重要的性能指标，它反映了开关器件在开关过程中产生的能量损失。准确测量电源开关损耗对于优化电路
2024-05-27 16:03
一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量
2019-06-27 10:22
要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导通
2020-08-27 08:07
电力电子器件的损耗包括哪些 电力电子器件的损耗主要包括有开通、关断、通态损耗。 在通常情况下，电力电子
2021-01-07 15:40
