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型号：R5<b class='flag-s-7'>F10BGECKFB#55</b> 品牌：

R5F10BGECKFB#55 产品概述R5F10BGECKFB#55 是一款高性能的微控制器，属于 Renesas Electronics 的 16 位微控制器系列。该芯片专为各种嵌入式

2025-02-23 18:49 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：60N<b class='flag-s-7'>55F</b>3-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 产品简介**型号：60N55F3-VB**60N55F3-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术，具备低导通电阻和高电流承载能力。该型号适用于中高电流和低压降的功率

2024-11-15 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：250N<b class='flag-s-7'>55F</b>3-VB 品牌：微碧

### 一、250N55F3-VB产品简介250N55F3-VB是VBsemi公司推出的一款双N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于高功率和高电流的应用。该器件具有低导通电阻和高可靠性

2024-07-10 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：65N<b class='flag-s-7'>55F</b>3-VB 品牌：微碧

### 一、65N55F3-VB产品简介65N55F3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有优异的导通特性和高电流承载能力。该器件适用于中等电压和高电流的应用场合，结合

2024-11-16 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：180N<b class='flag-s-7'>55F</b>3-VB TO220 品牌：微碧

### 180N55F3-VB TO220 产品简介VBsemi的180N55F3-VB TO220是一款高性能单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有较高的漏源电压和较低的导通电阻。这款

2024-07-08 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：54V<b class='flag-s-7'>55F</b> 品牌：

)是超级电容器的一种，是一种新型储能装置。双电层电容介于电池和电容之间，其极大的容量完全可以作为使用。产品性能表：项目特性额定电压54V容量55F 工作温度-

2024-03-15 09:30 深圳市御坤科技有限公司 企业号

型号：110N<b class='flag-s-7'>55F</b>6-VB 品牌：微碧

以下是对MOSFET产品110N55F6-VB的产品简介、参数说明以及适用领域和模块的详细说明：### 产品简介：110N55F6-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，具有优异

2024-07-05 14:02 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：90N<b class='flag-s-7'>55F</b>4-VB TO263 品牌：微碧

### 产品简介90N55F4-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装，具有高性能和可靠性，适用于高功率应用环境。### 详细参数说明- **型号**: 90N55F

2024-11-22 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：60N<b class='flag-s-7'>55F</b>3-VB TO220 品牌：微碧

### 一、产品简介**型号：60N55F3-VB**60N55F3-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于中高功率开关和电源管理应用。具有60V的漏源电压和120A

2024-11-15 17:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：200N<b class='flag-s-7'>55F</b>3-VB 品牌：微碧

### 产品简介：VBsemi的200N55F3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于高功率和中等电压的应用场合。这款器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高性能电源管理

2024-07-09 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号