参数表节选:的技术参数 UB500-F42-E6-V15产品阐述 单头系统通用规格感应范围30 ... 500 mm调整范围50 ... 500 mm死区0 ... 30 mm
2022-11-09 09:14 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
### 一、42DN20N-VB 产品简介42DN20N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。该产品具有250V的漏源极电压(VDS),20V的栅源极电压(VGS),3.5V
2024-11-08 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPI320N20N3 G-VB 产品简介IPI320N20N3 G-VB 是一款高电压、单极 N 沟道 MOSFET,采用 TO262 封装,设计用于高电流及中高电压的电源开关和控制
2025-08-27 17:11 微碧半导体VBsemi 企业号
AM42-0002 电源,VSAT MMICAM42-0002 是一款三级 MMIC 线性功率放大器,采用无铅陶瓷螺栓固定式密封封装。AM42-0002 采用完全匹配的芯片,具有内部去耦
2023-03-23 16:39 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
:TMS320F28035 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-80 核心:C28x 程序存储器大小:64 kB 数据 RA
2021-11-19 10:48 深圳市嘉铭伟业科技有限公司 企业号
### 一、产品简介**产品型号**: 320N20N-VB**封装类型**: TO220**产品概述**: 320N20N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,具有优秀的性能
2024-11-06 11:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介320N20NS-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道功率 MOSFET,采用 DFN8(5X6) 封装。该器件具有 200V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源
2024-11-06 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 - IPD320N20N3 G-VBIPD320N20N3 G-VB 是一款高效的单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,专为高压、高电流应用设计。其典型的击穿电压为200V
2025-08-26 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 42N50A-30 同轴高功率固定衰减器#### 技术规格- **频率范围**:DC 至 18 GHz。- **衰减量**:30 dB。- **额定功率**:50 W 平均功率(在 25°C
2025-05-30 14:10 深圳市立维创展科技有限公司 企业号