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型号：NCE30<b class='flag-s-7'>P30K</b> 品牌：

新洁能NCE30P30K NCE P通道增强模式电源MOSFET TO-252-2L新洁能NCE30P30K，全新升级，为您的高电流负载应用提供强大支持！采用先进的沟槽技术和设计， 民信微

2023-11-03 20:38 民信微电子 企业号

型号：HM70<b class='flag-s-7'>P04K</b>-VB 品牌：微碧

**HM70P04K-VB 详细参数说明：**- **品牌：** VBsemi- **型号：** HM70P04K-VB- **丝印：** VBE2412- **封装：** TO252- **类型

2024-02-20 11:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP50<b class='flag-s-7'>P03K</b> 品牌：

供应AP50P03K p沟道mos -30v -35a丝印:AP50P03 储能、小家电mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP50P03K 规

2023-08-22 17:30 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K50P</b>04M1-VB 品牌：微碧

**产品简介：**K50P04M1-VB 是由 VBsemi 公司生产的 P 沟道场效应管，采用 TO252 封装。它具有-40V 的额定耐压和最大-65A 的漏极电流。K50P04M1-VB 在

2024-06-19 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE60<b class='flag-s-7'>P25K</b>-VB 品牌：微碧

型号： NCE60P25K-VB丝印： VBE2658品牌：VBsemi参数说明：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 额定电流：-22A- 导通电阻：48mΩ@10V, 57m

2023-12-13 13:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HM40<b class='flag-s-7'>P04K</b>-VB 品牌：微碧

**型号：** HM40P04K-VB**品牌：** VBsemi**丝印：** VBE2412**封装：** TO252**产品简介：**HM40P04K-VB是一款P沟道场效应管，适用于负载开关

2024-06-01 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE60<b class='flag-s-7'>P25K</b>-VB 品牌：微碧

型号   NCE60P25K-VB丝印   VBE2658品牌  VBsemi参数说明   沟道类型  P沟道 额定电压

2023-11-09 11:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE40<b class='flag-s-7'>P40K</b>-VB 品牌：微碧

型号  NCE40P40K-VB丝印  VBE2412品牌  VBsemi详细参数说明   P沟道 额定电压  

2023-11-09 11:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2711<b class='flag-s-7'>P-RP1K</b> 品牌：

AB 2711P-RP1K 逻辑模块的技术参考信息，适用于 Allen-Bradley PanelView Plus 

2024-08-26 15:30 福建鸿飞达自动化科技有限公司 企业号

型号：NCE40<b class='flag-s-7'>P70K</b> 品牌：

特点NCE40P70K采用先进的沟槽技术设计以提供具有低栅极电荷的优异RDS（ON）。这个该器件非常适合高电流负载应用。 描述●VDS=-40V，ID=-70ARDS（ON）

2025-02-20 10:39 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号