沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅相比，沟槽栅MOSFET消除了JFET区
2023-04-27 11:55
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种
2023-06-25 17:19
厂区平面图
2008-10-08 13:54
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极
2023-06-05 15:12
全厂防雷平面图:全厂防雷平面图dwg
2008-10-08 13:49
功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate ），漏
2023-06-28 08:39
上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET，为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢，有时候推荐用Trench工艺MOS
2023-09-27 09:27
房屋底层平面图
2009-06-10 08:49
防雷保护平面图.dwg 请用CAD软件查看。
2008-10-08 15:11
设计。 01 TO-247-3与TO-247-4两种封装类型介绍 图1 传统TO-247-3封装的MOSFET类型 传统的TO-247-3封装的MOSFET类型如图1所示，其
2023-02-27 16:14
