3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。在一个新的研究报告中指出，这项技术将会在今年成为闪存领域的卓越性技术。
2017-05-03 01:02
传统平面NAND闪存技术的扩展性已达到极限。为了解决这一问题，3D-NAND闪存技术应运而生，通过在垂直方向上堆叠存储单元，大幅提升了存储密度。本文将简要介绍3D-NAND
2024-11-06 18:09
3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度，可支持在更小的空间内，容纳更高的存储容量，从而有效节约成本、降低能耗，以及大幅度地
2023-06-15 09:37
3D NAND克服了与2D平面NAND微缩有关的挑战，在嵌入于智能手机等移动设备时，能够大幅改善内存级储存，并因应在储存容量方面的巨大成长潜力，加速智能手机应用的新时代来临。
2018-07-14 09:08
目前，我们还无法断定3D NAND是否较平面NAND更具有製造成本的优势，但三星与美光显然都决定把赌注押在3D NAND产品上。如今的问题在于，海力士（SK Hynix
2016-09-12 13:40
比利时微电子研究中心IMEC的研究人员们已经开发出一种纳米级的氧化铝铪电介质（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，这种具氮化硅/氮化钛混合浮闸的闸间电介质可用于平面 NAND Flash 结构中，并可望推动NAND
2013-06-26 09:37
关于四级单元闪存纠错问题的潜在解决方法。 与此前的平面NAND相比， 3D NAND 技术的运用将使得错误检查代码更易于实现，这也进一步确定了容量提升的四级单元技术的可行性。 错误检查代码（ECC
2018-01-25 22:30
就算3D NAND的每位元成本与平面NAND相比较还不够低，NAND快闪存储已经成功地由平面转为3D，而DRAM还是维持
2018-10-28 10:17
4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。这也是首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品，号称可以给智能手机提供更强性能。 美光新一代的UFS 4.0模块能够
2023-07-19 19:02
