沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，
2023-04-27 11:55
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型
2023-06-25 17:19
继上一篇超级结MOSFET技术简介后，我们这次介绍下屏蔽栅MOSFET。
2024-12-27 14:52
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢？栅源振荡的危害什么？如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢？ MOSFET（金属-氧化物
2024-03-27 15:33
GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/
2023-04-29 16:50
沟槽型IGBT（沟槽栅绝缘栅双极型晶体管）与平面型IGBT（平面栅绝缘
2024-07-24 10:39
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的资料大全 绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和
2010-03-05 11:46
