沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，
2023-04-27 11:55
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型
2023-06-25 17:19
继上一篇超级结MOSFET技术简介后，我们这次介绍下屏蔽栅MOSFET。
2024-12-27 14:52
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢？栅源振荡的危害什么？如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢？ MOSFET（金属-氧化物
2024-03-27 15:33
GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型(电源技术期刊版面费)-GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型
2021-09-18 10:23
的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。测量SiC MOSFET栅-源电压：一般测量方法电源单元等产品中使用的功率开关器件大多都配有用来冷却的散热器，在测量器件引脚间的电压时，通常是无法将电压
2022-09-20 08:00
GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/
2023-04-29 16:50
