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2024-12-13 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP03N70J-VB 产品简介AP03N70J-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO251 封装,由 VBsemi
2024-12-13 13:54 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi EMF30N02J-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号:** EMF30N02J-VB- **丝印:** VB1240- **品牌
2024-01-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP09N20J-HF-VB 产品简介AP09N20J-HF-VB是一款单N沟道MOSFET,封装形式为TO251,采用沟槽工艺技术。该器件适用于中高压应用,具
2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
深圳谷京代理现货TDK车规电容CGA4J3X7S2A105KT0Y0N ,原装正品,欢迎来电咨询,TDK车规电容主要应用ADAS、自动驾驶等在汽车应用中电子控制单元(ECU)电源线的平滑
2024-08-09 15:47 谷京科技代理村田TDK贴片电容 企业号
### AP01N40J-VB 产品简介AP01N40J-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,封装为TO251。该器件具有650V的漏源极电压和
2024-12-13 11:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP01N40J-HF-VB 产品简介AP01N40J-HF-VB 是一款单 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 TO251 封装,由 VBsemi 公
2024-12-13 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP12L02J-VB 是一款高性能的单N-沟道功率MOSFET,采用TO251封装。该器件设计用于低电压高电流的功率开关和电源管理应用,具备30V的耐压和50A的持续漏极电流能力
2024-12-16 15:41 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 J100N50X4B 是一款端接器,频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签
2023-08-17 15:43 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 9916J-VB 产品简介9916J-VB 是一款单 N 沟道场效应管(MOSFET),采用先进的沟道技术,具有低导通电阻和高漏极电流特性,适用于各种需要高效能
2024-11-26 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号