刻蚀室半导体IC制造中的至关重要的一道工艺，一般有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，干法刻蚀和湿法刻蚀一个显著的区别是各向异性，更
2022-06-13 14:43
摘要 利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AlGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀。AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820nm/min与770nm/min,获得了
2010-11-30 14:58
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41
研究采用电感耦合等离子体刻 蚀法对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀，刻蚀气体为氯气，添加气体为三氯化硼。研究了刻蚀气体流量、电感耦合等离 子体功率、射频功率和室压等关键工艺参数对氮化镓基发光二极管结构
2023-02-22 15:45
精密微加工激光设备1.多种陶瓷基片（氧化铝，氮化铝，氧化锆，氧化镁，氧化铍）以及 厚薄膜电路基板，LTCC，HTCC，生瓷带，微集成电路，微波电路，天线模板， 滤波器，无源集成器件和其他多种半导体材料的精密微加工。高功率LED行业 的DPC，COB以及透明陶瓷等多种基板的精密切割划线和打孔。 2.激光适合加工各种不同种类的PCB材料，例如：FR4型覆铜箔板、涂覆铝金属层的PET膜、陶瓷、微波基材TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材时，激光直接成型技术优势更明显，不用与材料接触，就能进行光蚀，因此更可靠，不会对基材产生损害。激光直接大面积剥离铜层不伤基底材料（软基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:24
混合液(也称缓冲氢氟酸液)，氮化硅膜的腐蚀液为180 oC左右的热磷酸；铝的腐蚀液为磷酸溶液(磷酸：醋酸：硝酸=250：20：3,55 + - 5 oC。 2 干法腐蚀 干法刻蚀分为各向同性刻蚀
2019-08-16 11:11
实现，必须采用微加工技术制造。微加工技术包括硅的体微加工技术、表面微加工技术和特殊微加工技术。体加工技术是指沿着硅衬底的厚度方向对硅衬底进行刻蚀的工艺，包括湿法刻蚀和干法刻蚀，是实现三维结构的重要方法
2016-12-09 17:46
。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量
2018-09-03 09:31
的康铜通过光学处理后刻蚀不同感应形变的电阻栅丝。因此，电阻应变片的品质不仅与基材材质和复合的金属纯度有关，而且与复合工艺、刻蚀技术及工艺、刻蚀化学材料及后处 www.lhcgq.cn
2020-04-24 16:18
，干法蚀刻制备的氮化镓（GaN）侧壁通常具有较大的粗糙度和蚀刻损伤，这会导致由于表面非辐射复合导致的光学散射和载流子注入损失引起的镜面损失。详细研究了干法蚀刻形成的GaN侧壁面的湿化学抛光工艺，以去除蚀刻
2021-07-09 10:21
