蒸发，所以刻蚀要在一个装有冷却盖的密封回流容器中进行。主要问题是光刻胶层经不起刻蚀剂的温度和高刻蚀速率。因此，需要一层二氧化硅或其他材料来阻挡刻蚀剂。这两个因素已导致对
2018-12-21 13:49
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑 释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35
2013-11-04 11:51
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻
2022-08-31 16:29
（干法刻蚀硅）17、 RIE SiO2 （干法刻蚀二氧化硅）18、 RIE Si3N4 （干法刻蚀氮化硅）19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN （干法刻蚀金属，
2015-01-07 16:15
形成电路，而“湿法”刻蚀（使用化学浴）主要用于清洁晶圆。 干法刻蚀是半导体制造中最常用的工艺之一。 开始刻蚀前，晶圆上会涂上一层光刻胶或硬掩膜（通常是氧化物或氮化物），然后在光刻时将电路图形曝光在晶圆
2017-10-09 19:41
３０ ｄＢｍ，增益大于５ ｄＢ。关键词：碳化硅；金属?半导体场效应晶体管；牺牲氧化；干法刻蚀；等平面工艺
2009-10-06 09:48
具备熟练的英文报告撰写能力者优先；5. 精通至少一种贴合技术者优先；6. 对AMOLED显示材料有一定的研究者优先。三、干法工艺工程师岗位职责：1.负责干法刻蚀设备评估，完成设备比对表及设备招标
2017-02-04 10:04
工程师；5. 熟悉TFT原理及制造工艺流程；6. 有设备评估经验者优先，有设备安装调试经验者优先。3、干法工艺工程师岗位职责：1.负责干法刻蚀设备评估，完成设备比对表及设备招标规格书；2. 负责与厂商
2016-12-16 11:45
AOE刻蚀氧化硅可以，同时这个设备可以刻蚀硅吗？大致的气体配比是怎样的，我这里常规的刻蚀气体都有，但是过去用的ICP，还没有用过AOE刻蚀硅，请哪位大佬指点一下，谢谢。
2022-10-21 07:20
、具有半导体器件工艺开发工作经历，3年以上工作经验,4、具有良好的团队合作精神和进取精神三、半导体刻蚀工艺工程师职责描述：1、 独立负责干法、湿法刻蚀工艺,进行刻蚀工艺
2016-10-26 17:05
