干法刻蚀原理 刻蚀作用：去除边缘PN结，防止上下短路。干法刻蚀原理：利用高频辉光放电反应，使CF4气体激活成活性粒子，这些活性
2010-07-18 11:28
蒸发，所以刻蚀要在一个装有冷却盖的密封回流容器中进行。主要问题是光刻胶层经不起刻蚀剂的温度和高刻蚀速率。因此，需要一层二氧化硅或其他材料来阻挡刻蚀剂。这两个因素已导致对
2018-12-21 13:49
刻蚀室半导体IC制造中的至关重要的一道工艺，一般有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，干法刻蚀和湿法刻蚀一个显著的区别是各向异性，更
2022-06-13 14:43
本文介绍了干法刻蚀工艺的不同参数。 干法刻蚀中可以调节的工艺参数有哪些？各有什么作用？ 1，温度：晶圆表面温度，温度梯度 晶圆表面温度：控制刻蚀表面的化学反应速率和产物的挥发性 温度梯度
2024-12-02 09:56
在MEMS制造工艺中，干法刻蚀是通过等离子体、离子束等气态物质对薄膜材料或衬底进行刻蚀的工艺，其评价参数直接影响器件的结构精度和性能。那么干法刻蚀有哪些评价参数呢？
2025-07-07 11:21
干法刻蚀技术作为半导体制造的核心工艺模块，通过等离子体与材料表面的相互作用实现精准刻蚀，其技术特性与工艺优势深刻影响着先进制程的演进方向。
2025-05-28 17:01
干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程，通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分，通过掩膜和刻蚀参数的调控，可以实现各向异性及各向同性刻蚀的任意切
2024-01-20 10:24
干法刻蚀工艺流程为，将刻蚀气体注入真空反应室，待压力稳定后，利用射频辉光放电产生等离子体；受高速电子撞击后分解产生自由基，并扩散到圆片表面被吸附。
2022-11-10 09:54
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑 释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35
2013-11-04 11:51
在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21
