AT25512N-SH-T:高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中,可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip(美国微芯)推出的AT25512N-SH-T是一款高性能
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
简介Simco-Ion P-SH-N离子棒是EP-Sh-N的一个升级版本,具有较高的的除静电效能,和超远的作用距离,配合Simco Ion专用的空气管和风刀系统,能够起到高效的除静电除尘作用和增大
2021-12-10 15:25 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
P-Sh-N-Ex离子棒具有与P-Sh-N相同的特性,P-Sh-N-E离子棒由离子产生器,离子棒,二位一体紧凑组合型静电消除设备,具有UL& ATEX 防爆认证,可在防爆环境在
2021-12-10 15:36 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
荷兰P-Sh-N 静电消除器 离子棒是EP-Sh-N的一个升级版本,具有较高的的除静电效能,和超远的作用距离,配合Simco Ion专用的空气管和风刀系统,能够起到高效的除静电除尘作用和增大作用距离
2024-12-27 15:28 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
,适合于中高功率应用场合。### 5407NG-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
如需了解价格货期等具体信息,欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言,留言会被吞,收不到留言。 HMA81GU7DJR8N-XNT0 产品概述 HMA81GU7DJR8N
2025-02-10 20:14 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
HMA81GU7DJR8N-XN、HMA81GU7DJR8N-XNT0以及MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是三款高性能的8GB DDR4-3200MHz PC4-25600 ECC
2025-02-14 06:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3808NG-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-252 封装。该器件具有 30V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS
2024-11-06 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号