传统的带隙电压基准如图1所示，双极型晶体管基极-发射极电压差ΔVBE具有正温度系数，而双极型晶体管基极-发射极电压VBE
2023-12-15 15:47
本文首先介绍了带隙基准是什么，然后分析了带隙基准的原理。
2019-08-06 17:48
带隙基准的一阶温度补偿如图1所示，双极型晶体管基极-发射极电压差ΔVBE具有正温度系数，而双极型晶体管基极-发射极电压VBE具有负温度系数，如果将两个
2023-12-15 15:52
本文根据基准源的精度必须好于DAC设计精度指标。利用负反馈和基本电流镜等原理，合理设计电路的情况下得到了稳定的PTAT电流，并根据带隙基准电压源的设计原理得到一个高精度和快速启动的CMOS
2018-03-05 10:45
缓冲器的精准电压基准 LT6658。基于一个 2.5V 带隙电压基准，每路输出可单独地配置为 2.5V 至 6V 之间的任何电压
2018-06-01 11:03
带隙型稳压电路能够在很宽的温度范围内使得温度系数接近于0，以达到很好的稳压效果。在此，为了从数学上详细推导分析这类电路的工作原理，我准备对这个过程中的每一步都一一进行推导。由于整个过程基本是数学
2021-03-16 09:57
通过一阶、二阶、高阶以及分段等方式进行补偿，来提高基准源的精度[1]。本文基于一阶补偿后的基准电压输出特性，设计一个高低温分段补偿电路，带隙基准源在宽的温度范围具有较低的温度系数。同时，该补偿方式还可以用于其他类似输
2018-06-26 08:06
使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义，它们具有更大的带隙，因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （G
2022-07-29 08:06
ROGOWSKI线圈、电流互感器或者锰铜分流器。它是一款高精度计量芯片，在5%到1，000%动态范围内，可达到0.2%。STMP01主要由两部分组成即模拟部分和数字部分，包括前值放大器、A/D转换器、带隙电压基准、调
2020-04-19 18:17
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。 安森美
2020-05-28 09:58
