对于vdsat我的个人的理解是：该器件在当前的VGS偏置下，达到饱和电流（电流的最大值）时所需的最小VDS。比较困惑的是，低电压设计的时候管子经常会在亚阈值区，管子处于亚
2021-06-24 06:56
想请教一下，现在很多论文都是将差分折叠式运放输入对管放在亚阈值区，实际应用中管子工作在
2021-06-24 07:45
各位大侠，最近仿真了一个比较器，发现前置放大器中输入差分对管的直流工作点在亚阈值区域，请问工作在
2021-06-24 07:29
本文将介绍使用源-测量单元测量二极管的泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流（sub-thresh old current）。
2021-04-14 06:56
电压等于0的时候，漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏，当所有的讨论都是基于源级接地的电路时，当耗尽型MOSFET、JFET的栅源电压大于0时，电流怎么变化，两种管子
2019-04-08 03:57
怎样解决MOSFET并联工作时出现的问题？ 来纠正传统认识的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05
上，那么N-MOSFET的Vgs必然是小于等于0。而N-MOSFET要导通的条件是Vgs大于一个正的阈值电压，那么图中的N-MOSFET岂不是始终导通不了？类似的道理，
2024-08-08 06:58
我迫切需要分析 st 半导体的 mosfet 及其损坏原因。有人能告诉我是否可以在德国或至少在欧洲的 ST 内部对损害及其可能原因进行分析和评估吗？还是组件必须运到远亚
2023-01-31 07:55
上图是我仿真的电路图，在电源叠加交流的状态下，由于后端电容的充放电，导致电流超过阈值。 以至芯片进行限流。 而且一旦正向电流开始超出阈值，MOSFET的温度会快速上
2024-01-05 12:34
LLC为什么不能工作在容性区？
2023-08-01 11:05
