MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的阈值电压（Vt）是其工作性能中的一个关键参数，它决定了晶体管从关闭状态过渡到开启状态所需的栅极电压大小。MOSFET的
2024-05-30 16:41
MOSFET的SOA图。考虑将 10V/100A 的电压施加到 MOSFET 的条件。查看 SOA 图上的相应点，我们看到它介于 1ms 和 10ms 行之间。该图表明，如果外壳（片片）保持在25°C，则可以施加10
2023-01-04 15:08
ARK（方舟微）研发的UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。
2023-11-18 16:00
本次仿真的是2006年的论文[1]，结构简单，无三极管，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，但是温度特性较差。
2023-11-21 18:19
关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响，实际在考虑工艺相关因素后都是比较复杂，但是也可以有一些简化的分析，这里主要还是分析当晶体管处在窄沟道和短沟道情况下，
2019-06-18 17:19
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和区。图示了NMO
2023-11-15 09:30
本文主要介绍了一种基于新阈值函数的小波阈值去噪算法。在小波阈值去噪法中的两个重要的因素—阈值选取方式和
2018-01-10 10:12
本文主要介绍了小波阈值去噪的改进以及改进的小波阈值函数。新设定的阈值在保留了原来统一阈值
2018-01-10 11:02
本文主要介绍了小波软阈值的推导_软阈值的计算。由于噪声信号强度的随机性，以及小波分解过程中信号与噪声的传播特性不同，每一层小波分解系数所采用的阈值应该是随小波系数的变化而变化的。能实现这种变动
2018-01-10 14:46
