第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，
2016-12-21 11:39
MOSFET的耐压、电流特性和热阻特性，来理解功率MOSFET的安全工作区SOA曲线。它定义了最大的漏源极电压值、漏极电流值，以保证器件
2016-10-31 13:39
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面
2016-10-10 10:58
感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生
2018-07-18 10:09
MOSFET工作也可以工作在饱和区，即放大区恒流状态，此时，电流受到沟道内电子数量的限制，改变漏极电压不能增加流通电流。
2016-08-15 14:31
时刻并不一样，因此开通时刻和关断时刻的米勒平台电压VGP也不一样，要分别根据各自的电流和跨导计算实际的米勒平台电压。（2）模式M2：t6-t7在t6时刻，功率MOSFET进入关断的米勒平台区，这个阶段
2017-03-06 15:19
“2017至2019年，三亚将实施电网建设改造与电缆入地改造，重点解决三亚主城区、镇墟、重点工业园区单回路供电和可转供率不高的问题，同时美化城市景观。在电网建设上共计投资约20.49亿元。”这是三
2017-10-16 14:48
流向Crss，VGS的电压就不再变化，保持不变。在整个时间段t2~t3内，器件工作在稳定的恒流区，VGS电压保持恒定VGP不变，ID电流保持恒定，VGS电压保持一个平台
2017-02-24 15:05
相当于内部的寄生二极管工作在反向特性区，如图所示，当测试的IDSS值越大，所得到的BVDSS电压值越高。因此使用不同的测试标准时，实际的性能会有较大的差异，也就是当改用更大的测试电流的时候，所得到的名义电压
2016-09-06 15:41
的另一个特点是欠压关断功能（UVSO）。典型的UVSO阈值为6.2V，而且没有迟滞。当VCC在保证最低工作电压为7.0V，以及UVSO阈值，
2020-07-14 14:53
