想请教一下，现在很多论文都是将差分折叠式运放输入对管放在亚阈值区，实际应用中管子工作在
2021-06-24 07:45
对于vdsat我的个人的理解是：该器件在当前的VGS偏置下，达到饱和电流（电流的最大值）时所需的最小VDS。比较困惑的是，低电压设计的时候管子经常会在亚阈值区，管子处于亚
2021-06-24 06:56
第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，
2016-12-21 11:39
各位大侠，最近仿真了一个比较器，发现前置放大器中输入差分对管的直流工作点在亚阈值区域，请问工作在
2021-06-24 07:29
VGS(th)，值在3V～5V之间。顺便提一下，不仅局限于MOSFET，相对于输入，输出和功能的导通/关断等某种状态改变的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示
2018-11-28 14:28
MOSFET的耐压、电流特性和热阻特性，来理解功率MOSFET的安全工作区SOA曲线。它定义了最大的漏源极电压值、漏极电流值，以保证器件
2016-10-31 13:39
MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间
2019-05-02 09:41
时，客户工程师发现：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V时，Q1的导通压降只有0.06V，那么，这是不是表明：功率MOSFET在反向工作的时候，VTH比正向导通的时候低？是不是二极管的分流
2017-04-06 14:57
，这些材料在生产方便性和可靠性上都更具有优势。不妨碍对MOSFET结构和基本工作原理的理解，在此仍认为其是金属材料。和结型场效应晶体管一样，在MOSFET中载流子也是从
2024-06-13 10:07
，曲线的斜率定义为跨导Gfs MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和
2019-06-14 00:37
