问题1：最近，我们公司的技术专家在调试中发现，MOSFET驱动电压过高，会导致电路过载时，MOSFET中电流过大，于是把降低了驱动电压到6.5V，之前我们都是在12V左右。这种做法感觉和您在文章里
2016-12-21 11:39
具有更高的电压和电流承受能力。功率MOSFET的工作区域主要包括截止区、饱和区、线性区和击穿区。 截止
2024-07-11 15:12
IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电子应用中起着关键的作用。饱和区是IGBT和
2024-02-18 14:35
电子发烧友网站提供《在设计中使用MOSFET安全工作区曲线.pdf》资料免费下载
2024-09-07 10:55
电力MOSFET的反向电阻工作区 电力MOSFET在很多电子设备中都有广泛的应用，例如电源、驱动电路、LED控制等。MOSFET是一种基于场效应管的晶体管，其主要功能是
2023-10-26 11:38
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性
2017-04-06 14:57
1、功率MOSFET安全工作区SOA曲线功率MOSFET数据表中SOA曲线是正向偏置的SOA曲线，即FBSOA曲线，那么这个安全工作区SOA曲线是如何定义的呢？这个曲线
2016-10-31 13:39
MOSFET 安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在
2021-03-20 08:32
搞电力电子的应该都知道IGBT和MOSFET属于全控型电力电子器件，在应用的时候把它当作一个开关就可以了，但估计很少人能够说出IGBT和MOSFET工作区的命名和区别，同时由于不同参考书对工作
2021-01-01 17:34
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32
