大功率领域，能显著提高效率，降低装置体积。在这些应用领域中，对功率器件的可靠性要求很高，为此，针对自主研制的3300V SiC MOSFET 开展栅氧可靠性研究。首先，按照常规的评估技术对其进行了高温栅
2024-01-04 09:41
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例
2018-09-23 11:17
更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载
2014-03-25 11:07
电气隔离栅是一种用于保护电气设备和人员安全的装置，它能够防止电流的意外流动，从而避免触电事故的发生。 电气隔离栅的作用 防止触电 ：电气隔离栅能够防止人员接触到带电部件，从而降低触电的风险。 保护
2024-09-29 18:07
MOS结构加上一对背靠背的PN结，就构成一个MOSFET。如果MOS结构在零栅压时半导体表面不是反型的，此时由于PN结的反向截止效果，源漏之间不会导通。当外加栅压使半导体表面反型时，源漏之间就有了
2023-11-30 15:54
屏蔽有两个目的: 一是限制屏蔽体内部的电磁骚扰越出某一区域; 二是防止外来的电磁干扰(骚扰)进入屏蔽体内的某一区域。
2019-11-08 16:21
屏蔽双绞线和非屏蔽双绞线的主要差异是什么呢？
2020-01-02 09:10
电磁场的屏蔽问题，是一个既具有实际意义又具有理论意义的问题。根据条件的不同，电磁场的屏蔽可分为静电屏蔽、静磁屏蔽和电磁屏蔽
2018-06-19 12:09
）电流产生的功耗。 从上述公式推导得出，三部分功耗中只有一个与MOSFET栅极电容充电和放电有关。 这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。为了计算公式 1 的值，需要知道 MOSFET 栅极电容。MOSFET
2024-10-29 10:45
为了有效抑制短沟道效应，提高栅控能力，随着MOS结构的尺寸不断降低，就需要相对应的提高栅电极电容。提高电容的一个办法是通过降低栅氧化层的厚度来达到这一目的。栅氧厚度必须
2025-05-26 10:02
