康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提
2019-08-09 07:03
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况
2021-01-22 06:45
RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出现改变了这一
2019-07-08 08:28
栅漏电流噪声特性是什么？栅漏电流噪声有哪几种模型？这几种模型具有什么特性和局限性？
2021-04-14 06:53
常见的栅漏电流噪声模型有哪几种，这几种模型的特性是什么？有什么局限性？
2021-04-09 06:44
麻烦问一下大家 一个MOSFET（开关型的）的漏极和栅极接有电阻和双二极管的并联电路是个啥电路啊 有啥作用呢。这个图片上器件没有用过啊是干啥用的了呢
2014-04-08 16:48
，FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接，而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重后果。这需要通过一个控制器来调节输入电压（VIN）和输出电压（VOUT）之间MOSFET上的栅源偏压，使MOSFET处于饱和
2019-08-06 06:28
电压，VIN为输入电压，VOUT为输出电压。输入与输出电压可以转换为MOSFET的漏源电压和栅源电压，如下式：VDS=VIN-VOUT，且VGS=VGATE-VOUT其中，VDS为漏源电压，VGS为栅源
2021-04-08 11:37
