继上一篇超级结MOSFET技术简介后，我们这次介绍下屏蔽栅MOSFET。
2024-12-27 14:52
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽
2019-04-08 03:57
沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅
2023-04-27 11:55
横向型MOSFET，又称之为横向导电型的MOSFET，结构如下图所示。这里横向的意思是指电流的流动方向与晶圆衬底之间的方向。
2023-06-25 17:14
横向导电的MOSFET，如下图所示，这个结构及其工作原理以前的文章介绍过：功率MOSFET的结构及特点，其由三个电极：G栅极、D漏极和S源极组成。图1：平面横向导电MOSFET灰色Gate栅极的宽度
2017-01-06 14:46
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种
2023-06-25 17:19
PH系列安全栅简介
2017-02-07 15:27
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢？栅源振荡的危害什么？如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢？ MOSFET（金属-氧化物
2024-03-27 15:33
绝缘栅型场效应管 一、 N沟导增强型MOSFET(EMOS) 二、 N沟导耗尽型
2008-07-16 12:54
