继上一篇超级结MOSFET技术简介后，我们这次介绍下屏蔽栅MOSFET。
2024-12-27 14:52
功率器件设计，具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计能力和自主的工艺技术平台，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率
2023-02-21 16:03
沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅
2023-04-27 11:55
本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40～300V)应用中的优势。
2011-03-30 16:44
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢？栅源振荡的危害什么？如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢？ MOSFET（金属-氧化物
2024-03-27 15:33
随着电力电子技术的飞速发展，碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻和高工作温度，逐渐成为高频、高效功率转换应用的理想选择。然而，SiC
2025-03-24 17:43
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍
2023-06-25 17:19
主体涉及半导体功率器件领域，主要创新点在于研发了一款具备超结结构的屏蔽栅IGBT。产品主要由第一导电类型半导体衬底、前设元胞以及至少包含一个深沟槽的屏蔽
2024-04-07 10:16
