继上一篇超级结MOSFET技术简介后，我们这次介绍下屏蔽栅MOSFET。
2024-12-27 14:52
功率器件设计，具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计能力和自主的工艺技术平台，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率
2023-02-21 16:03
沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅
2023-04-27 11:55
近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds（on）方面的技术发展，下篇着
2008-11-14 15:43
和IGBT芯片设计能力，已掌握屏蔽栅功率MOSFET、超级结功率MOSFET
2023-06-09 14:52
和IGBT芯片设计能力，已掌握屏蔽栅功率MOSFET、超级结功率MOSFET
2023-06-09 15:06
本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40～300V)应用中的优势。
2011-03-30 16:44
沟槽栅低压功率MOSFET的发展-减小漏源通态电阻Rds(on):近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET
2009-12-13 20:02
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢？栅源振荡的危害什么？如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢？ MOSFET（金属-氧化物
2024-03-27 15:33
