本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况
2021-01-22 06:45
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的？在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可变电阻状态中，作为开关电路是怎么计算R5和R6？
2021-04-19 00:07
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29
主要的IGBT寄生电容有哪些？怎样去设计单正向栅驱动IGBT？单正向栅驱动IGBT有什么长处？
2021-04-20 06:43
2）。然后，门重新控制了薄体。 图2.鳍式场效应晶体管 此外，从平面移动到3D可降低亚阈值斜率和Ioff电流。体积将增加，漏电流将小于平面设计。 双栅极与三栅鳍式场效应晶体管 双栅极
2023-02-24 15:20
栅漏电流噪声特性是什么？栅漏电流噪声有哪几种模型？这几种模型具有什么特性和局限性？
2021-04-14 06:53
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候，而增强型MOSFET在栅源
2019-04-08 03:57
