高介电常数栅电介质和金属栅极技术(以下简称HKMG)使摩尔定律在45/32纳米节点得以延续。目前的HKMG工艺有两种主流整合方案，分别是先栅极和后栅极。后
2012-05-04 17:11
和沟道的掺杂浓度也不断增加外，栅氧化层（Gate oxide）的厚度也在不断降低，从而提高栅电极电容，达到提高栅对沟道的控制能力，同时调节阈值电压。栅氧化层的厚度是随着
2024-01-19 10:01
在分析共栅极架构(CG)的LNA前，需要先回顾一下共栅架构MOS管的输入阻抗，输出阻抗和电压增益的推导过程。
2023-03-26 13:50
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种功率半导体，具有MOSFET 的高速、电压相关栅极开关特性以及 BJT 的最小导通电阻（低饱和电压）特性。
2024-02-27 16:08
电气隔离栅是一种用于保护电气设备和人员安全的装置，它能够防止电流的意外流动，从而避免触电事故的发生。 电气隔离栅的作用 防止触电 ：电气隔离栅能够防止人员接触到带电部件，从而降低触电的风险。 保护
2024-09-29 18:07
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极
2019-07-03 16:26
为了有效抑制短沟道效应，提高栅控能力，随着MOS结构的尺寸不断降低，就需要相对应的提高栅电极电容。提高电容的一个办法是通过降低栅氧化层的厚度来达到这一目的。栅氧厚度必须
2025-05-26 10:02
安全栅（safety barrier），接在本质安全电路和非本质安全电路之间。将供给本质安全电路的电压电流限制在一定安全范围内的装置。
2021-01-21 14:43
磁栅尺是磁栅数显系统的基准元件。显然，波长就是磁栅尺的长度计量单位。任一被测长度都可用与其对应的若干磁栅波长之和来表示。
2018-11-28 08:47
影响电流的流动和信号的放大。 栅极电压控制的一般原则 阈值电压（Vth） ： 阈值电压是MOS管从截止状态到导通状态所需的栅源电压（VGS）的最小值。对于NMOS管，当VGS大于Vth时，管子开始导
2024-09-18 09:42
