本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况
2021-01-22 06:45
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的？在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可变电阻状态中，作为开关电路是怎么计算R5和R6？
2021-04-19 00:07
各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计不当，容易造成器件甚至系统的失效，因此发这篇文章将栅极常见的电路整理出来供大家参考讨论，也欢迎大家提出自己的观点。 MOSFET栅极电路
2025-05-06 17:13
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03
如果控制侧涉及到人的活动，那么高功率侧和低电压控制电路之间需要电流隔离。它能防范高压侧的任何故障，因为尽管有元件损坏或失效，隔离栅仍会阻止电力到达用户。图6.采用ADuM4121隔离式栅极驱动器的半桥
2021-07-09 07:00
各位前辈，小弟公司是有使用 IGPT 生产产品，过去都是较小功率的使用 100A 以下的模块或单管，而栅极都是使用 0V ( 驱动是接地 0V) 关断的。在过去一直关注 IGPT 关断栅压在什麽时候
2022-03-30 12:16
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00
节点将被拉至总线电压或地。要使Q1导通，应施加一个超过其阈值电压的正栅源电压(VGSQ1)。因此，当源极连接到VBUS，Q1处于导通状态时，其栅极电压将高于VBUS。如果驱动电路没有用于接地参考的隔离
2018-11-01 11:35
