从biu输入指令需要做什么配置
2023-08-16 08:02
请问下面几个信号（ICB总线相关）的含义是什么？ lsu2biu_icb_cmd_burst lsu2biu_icb_cmd_beat lsu2biu_icb_cmd_excl lsu2
2023-08-12 07:41
在BIU模块中，为了砍断外界与处理器核内部之间的时序路径，在汇合的 ICB 总线处插入一组乒乓缓存（ Ping-Pong Buffer ）。使用乒乓缓存（Ping-Pong Buffer ）砍断时序
2023-08-12 07:23
控制单元。RCU单元可以自动产生DRAM刷新总线周期，它工作于微处理器的增益模式下。经适当编程后，RCU将向将处理器的BIU（总线接口）单元产生存储器读请求。对微处理器的存储器范围编程后，BIU单元执行刷新周期时，被编程的存储器范围片选有效。
2019-11-07 06:01
内存窗口并导航到BIU4地址，即0x00FF_FE105）将地址值更改为FFBF_FFFF，该字段将显示为红色，表示它不匹配。6）再次打开FLASH / OTP存储器编程工具，注意启用Program
2019-06-21 08:44
控制单元。RCU单元可以自动产生DRAM刷新总线周期，它工作于微处理器的增益模式下。经适当编程后，RCU将向将处理器的BIU（总线接口）单元产生存储器读请求。对微处理器的存储器范围编程后，BIU单元
2019-07-29 07:54
RK3288 Android7.1 eMMC的DTS怎么设置？
2022-03-03 06:59
该电路图是一个48V铅酸蓄电池的电压采集电路，HCNR200左侧输入端的最前面应该是采用电阻分压，然后通过一个电压跟随器，我想问一下，是哪里将输入电压进行1/20的比例进行处理的。还有电压是否通过后面一个运放将其变为电流信号经过LED。望大神能够指导一下，感谢！
2018-04-20 11:18
本文介绍了怎样在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制单元的基础上，利用CPLD技术和80C196XL的时序特征设计一个低价格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL语言编程实现。
2021-04-28 07:10
80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一，已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内，集成有DRAMRCU单元，即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动产生DRAM刷新总线周期，它工作于微处理器的增益模式下。
2019-09-25 07:38
