应用。采用了Trench技术,具有优异的导通特性和低开关损耗,适合于要求严格的功率管理和控制场合。### 75T10S-VB MOSFET 详细参数说明- **封
2024-11-20 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介详细:AP75T10S-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装,设计用于高电压和高电流的功率开关应用。其采用先进的 Trench 技术,具有低导通电
2024-12-21 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号
V, VGS=20V- 阈值电压:Vth=-1.42V封装:SOP8详细参数说明:S10PF30L-VB是一款性能卓越的P—Channel沟道场效应晶体管,关键参数如下
2024-04-03 16:07 微碧半导体VBsemi 企业号
DAT-10-480 / 1S 是一款由 Pulsar Microwave 公司生产的数字步进衰减器,以下是其详细信息:### 技术参数|
2025-06-23 15:04 深圳市立维创展科技有限公司 企业号
**QM4305S-VB 详细参数说明**- **型号**:QM4305S-VB- **丝印**:VBA5415- **品牌**:VBsemi- **
2024-04-03 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi AFP2309S23RG-VB 产品详细参数说明和应用简介****型号:** AFP2309S23RG-VB**丝印:** VB2658**品牌:**
2024-03-11 16:33 微碧半导体VBsemi 企业号
AAT-10-479A / 7S 是一款由 Pulsar Microwave 公司生产的线性衰减器,以下是其详细信息:### 技术参数|
2025-06-23 14:52 深圳市立维创展科技有限公司 企业号
**VBsemi AFN2354S23RG-VB 产品详细参数说明和应用简介****型号:** AFN2354S23RG-VB**丝印:** VB1101M**品牌:*
2024-03-11 14:50 微碧半导体VBsemi 企业号
;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=-1.42V; **封装:** SOP8 **详细参数说明:** &n
2024-03-25 09:32 微碧半导体VBsemi 企业号