型号:MI4807-VB 丝印:VBA4338 品牌:VBsemi 参数:- 2个P-Channel沟道- 最大耐压:-30V- 最大漏极电流:-7A- 典型导
2024-03-22 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
RDS(ON)为50mΩ@VGS=10V时的低导通电阻。阈值电压(Vth)范围为-0.6到-2V。以下是该产品的详细参数说明:- **型号:** MI3105-V
2024-06-11 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
产品名称: MI9933-VB丝印: VBA4338品牌: VBsemi参数:- 2个P—Channel沟道- 最大耐压: -30V- 最大电流: -7A- 导通电阻: 35mΩ @ VGS=10V
2024-03-22 16:45 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号:MI4904-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数:- 2个N-Channel沟道- 额定电压:60V- 额定电流:6A- 开启时的电阻:27mΩ @ VGS=10V,VGS
2024-03-22 16:26 微碧半导体VBsemi 企业号
MI3135-VB---**产品简介:**MI3135-VB 是由 VBsemi 公司推出的 P-Channel 沟道 MOSFET。其主要特点包括 -30V 的漏极-源极电压承受能力,-5.8A
2024-06-11 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
MI413-VB是VBsemi生产的P—Channel沟道功率场效应晶体管型号。以下是该型号的产品简介和详细参数说明:### 产品简介:MI413-VB是一款高性能P—Channel沟道功率
2024-06-11 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
MI3470-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi**详细参数说明:**- 封装类型:SOT23- 沟道类型:N—Channel- 最大漏极电压:30V- 最大漏极电流:6.5A- 静态
2024-03-22 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号