MI413-VB是VBsemi生产的P—Channel沟道功率场效应晶体管型号。以下是该型号的产品简介和详细参数说明：### 产品简介：MI413-VB是一款高性能P—Channel沟道功率
2024-06-11 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
MI3135-VB---**产品简介：**MI3135-VB 是由 VBsemi 公司推出的 P-Channel 沟道 MOSFET。其主要特点包括 -30V 的漏极-源极电压承受能力，-5.8A
2024-06-11 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
通电阻：35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：-1.5V封装：SOP8 详细参数说明：MI4807-VB是一款P-Channel
2024-03-22 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
在现代电子设备领域，手机保护膜已成为日常生活中不可或缺的一部分。然而，对于消费者来说，如何选择一款质量优良、可靠的手机保护膜变得尤为重要。为了解决这个问题，
2023-10-26 16:29 三泉中石Sumspring 企业号
MI3470-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi**详细参数说明：**- 封装类型：SOT23- 沟道类型：N—Channel- 最大漏极电压：30V- 最大漏极电流：6.5A- 静态
2024-03-22 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号
(ON)）：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V应用简介：MI3402-VB是一款N-Channel MOSFET，采用S
2024-03-22 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号
(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：Vth = 1.2~2.2V**详细参数说明：**MI3400-VB是一款N-Channel沟道场
2024-03-22 15:40 微碧半导体VBsemi 企业号
**MI3474-VB 详细参数说明和应用简介:**- **品牌:** VBsemi- **型号:** MI3474-VB- **封装:** SOT23- **丝印:** VB1240**参数
2024-03-22 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 门极阈值电压 (Vth)：-1V**应用简介：**MI3443-VB是一
2024-03-22 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V- 阈值电压（Vth）：-0.81V**应用简介：**MI2323-VB是一款
2024-03-22 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号
