参数反映了器件可以处理的脉冲电流的能力，脉冲电流要远高于连续的直流电流。IDM工作在连续的状态下，长时间工作在大功率之下，功率MOSFET的结温可能会超出
2016-08-15 14:31
，MOSFET Q1门极驱动信号关断，谐振电感电流开始流经MOSFET Q2的体二极管，为MOSFET Q2产生ZVS条
2019-09-17 09:05
【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在关断时会引起尖峰电压
2018-07-10 10:03
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制
2024-01-29 07:41
IGBT、SJ MOSFET、Hybrid MOS的特征比较图。如V-I特性所示，Hybrid MOS在低电流范围具有与SJ MOSFET基本相同的良好特性。在大
2018-11-28 14:25
您好，我在设计基于MOSFET的VI电流源时参考了文献sboa327中的示例，但是在进行稳定性分析时得不到文献中的结果，TI Precision labs也看了，没有带MOSFET的例子。能否帮我
2024-07-31 06:41
。下面是25℃和150℃时的Vd-Id特性。请看25℃时的特性图表。SiC及Si MOSFET的Id相对Vd（Vds）呈线性增加，但由于IGBT有上升电压，因此在低电流范围MO
2018-12-03 14:29
MOSFET的驱动电流 按I=Qg/td(on)+tr和I=Qg/td(off)+tf算下来的电流区别还很大,I=Qg/Ton,这边的Ton是按什么算?求指教
2018-12-29 09:25
由于MOSFET的导通电阻值比较分散，而且随温度的变化也会在较大范围内波动，因此电流取样的精度差，电流取样信号在很宽的
2016-09-29 13:36
内部二极管的反向恢复时间trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。PrestoMOS的FN系列与标准型AN系列相比，trr速度提高至约1/5。同时，反向恢复电流Irr也降低至约1/3。这些特性的提升
2018-11-28 14:27
