半導體放電管是基於晶閘管原理和結構的一種兩端負阻器件。可以吸收突波，抑制過高電壓，達到保護易損組件的目的。該 器件是在矽單晶片兩面同時摻雜同種雜質而形成。簡單的結構如圖1所示。圖中p區和n區連結
2014-03-13 10:32
伺服馬達與零間隙的滾 珠導螺桿外，有賴於位置檢出器的使用，本機是採用移動式光電檢出器。 1、移動式光電檢出器信號的產生是
2015-02-05 17:39
對於選擇壓敏電阻來說，哪些指標是必須考慮的？對信號傳輸線路，進行ESD防護，須考慮： （1）壓敏電阻最大工作電壓大於電路工作電壓； （2）壓敏電阻電容量與信
2013-12-05 09:12
對於選擇壓敏電阻來說，哪些指標是必須考慮的？對信號傳輸線路，進行ESD防護，須考慮： （1）壓敏電阻最大工作電壓大於電路工作電壓； （2）壓敏電阻電容量與信
2013-12-06 09:25
使用歐姆龍NX控制器與Sysmac studio控制電機簡單運動— 環境配置0. 前言1. 實際硬件連接2. Sysmac studio 配置2.1 新建工程2.2 通信設置2.2.1 軟件內通信設
2021-09-07 08:06
FET的特性及应用电路電界效應半導體(FET: Field Effect Transistor，以下簡稱為FET)與電晶體同樣擁有古老的歷史，兩者最大差異是FET 的消費電力比一般電晶體更低，目前
2009-09-24 15:40
導率的材料,其差入損失的分佈為標準的常態分佈曲線,即窄帶分佈, 在最大的損失點具有高損失能力, 此數值太大時通常會造成該頻點或頻帶的信號損失過大,造成失真 。所有的電磁
2015-01-06 16:15
理電源雜訊的元件就必須滿足兩個• 基本條件: 1. 耐電流要足夠大 2. 要具備寬頻信號衰減的規格• B. 高速數位回路運作所引發的時脈(Clock Narrow Band)型態雜訊• 由高速數位回路
2015-01-08 12:16
理電源雜訊的元件就必須滿足兩個• 基本條件: 1. 耐電流要足夠大 2. 要具備寬頻信號衰減的規格• B. 高速數位回路運作所引發的時脈(Clock Narrow Band)型態雜訊• 由高速數位回路
2015-01-08 13:45
信號線對的交叉點要比控制信號相對於一個參考電平的絕對電壓值來得簡單。這也是需要精確實現差分線對等長佈線的一個理由。如果
2019-05-29 07:19
