MRF422射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:24
MRF427 NPN硅射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:27
MRF428射频功率晶体管规格书。主要设计用于高电压应用，作为2.0至30 MHz的高功率线性放大器。适用于船舶和基站设备。·规定的50伏、30 MHz特性-输出
2023-07-24 14:26
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧
2020-08-20 18:50
Qorvo T2G6000528-Q3 是一款 10W （P3dB） 分立式氮化镓在 SiC HEMT 上，工作频率为 DC 至 6 GHz。这设备采用先进的场板技术进行优化高漏极偏置工作时的功率和效率条件。这种优化可能会降低系统在更少的放大器阵容和更低的散热方面成本管理成本。
2023-07-25 17:02
MRF300AN
2023-07-31 17:18
CREE的CGH40045是一个不匹配的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH400 45，从28伏轨道运行，提供了一个通用的，宽带解决方案，各种射频和微波应用。GaN HEMT提供高效率、高增益和宽带宽的能力，使得CGH400 45适合线性和压缩
2018-08-14 08:00
，它采用先进的场板技术，在高漏极偏压操作条件下优化功率和效率。这种优化可以在较少的放大器线路UPS和较低的热管理成本方面潜在地降低系统成本。
2018-08-29 11:26
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率
2018-01-25 11:27
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。
2020-06-09 07:34
