采用SMD封装的隔离式DC / DC转换器系列可提供1W至15W的产品,并具有未稳压或稳压的输出电压。 所有型号均提供高销精度,并且适用于自动贴装机。 它们可以承受无铅回流焊工艺中的高温,并符合IPC J-STD-020D标准。 所有产品也可以卷带包装提供。
2021-02-26 22:31 TRACOPOWER 企业号
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封装中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介:VBsemi的06N60-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件工作电压(VDS)为600V,最大允许门源电压(VGS)为30V(绝对值),阈值电压
2024-07-03 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi的05N50-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件工作电压(VDS)为600V,最大允许门源电压(VGS)为30V(绝对值),阈值电压
2024-07-03 11:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介2SK2800-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,具备出色的导通特性和高可靠性。该器件封装在 TO220 封装中,具备60V 的漏源电压(VDS
2024-07-20 14:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi的052NE7N-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件工作电压(VDS)为80V,最大允许门源电压(VGS)为20V(绝对值),阈值电压
2024-07-02 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi的04N03LA-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO263封装。该器件工作电压(VDS)为30V,最大允许门源电压(VGS)为20V(绝对值),阈值电压
2024-07-02 15:42 微碧半导体VBsemi 企业号