### 21NM60ND-VB TO247 产品简介21NM60ND-VB TO247 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形
2024-07-09 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20N60CFD-VB TO247 产品简介20N60CFD-VB TO247 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形
2024-07-09 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介20N50-VB TO247 是 VBsemi 生产的一款高性能单N沟道MOSFET，封装为TO247，适用于高压、高功率的电源开关和电机驱动等应用。采用多重外延结构
2024-07-09 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 23NM60ND-VB TO247 产品简介23NM60ND-VB TO247 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形
2024-07-10 14:54 微碧半导体VBsemi 企业号
TO247封装，适用于多种领域和模块，提供可靠的性能和高效的功率控制。### 参数说明- **型号:** 18NM80-VB TO247- **封装:** TO
2024-07-08 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
源电压、20A的漏极电流承载能力，适用于中高压应用。该产品封装在TO247中，具有优越的热性能和电气特性，适用于各种电力和电子领域。### 二、详细参数说明- *
2024-07-09 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、22NM60N-VB TO247 产品简介22NM60N-VB 是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO247，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高
2024-07-10 11:01 微碧半导体VBsemi 企业号
具备低导通电阻和高漏极电流特性，适合要求高性能开关和功率控制的场合。### 2. 参数说明- **包装形式：** TO247- **通道配置：** 单N沟道- **
2024-11-19 11:52 微碧半导体VBsemi 企业号
，具备稳定的性能和可靠的工作特性。该型号的主要特点包括低导通电阻和高耐压能力，适用于多种工业和电子应用场合。### 2. 参数说明- **包装形式：** TO247-
2024-11-18 17:22 微碧半导体VBsemi 企业号
MOSFET适用于高压高功率的电源管理和开关应用。### 产品详细参数说明- **型号**：17N62K3-VB TO247- **封装**：TO247- **配置*
2024-07-08 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
