比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗更高，整体效率低下。
2023-02-21 09:24
对于MOSFET，欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻，对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
2021-05-01 17:26
比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。
2022-11-14 09:05
LTC®4234 是一款用于热插拔的集成式解决方案™允许从带电背板上安全插入和拔出电路板的应用程序。该器件在单个封装中集成了热插拔控制器、功率 MOSFET 和电流检测电阻器，适用于小尺寸应用。MOSFET 安全工作区 （SOA） 经过生产测试，可保证承受热插拔应用中的应力。
2023-01-08 15:59
CBMG701/CBMG702供电范围是1.8V至5.5V，非常适用于电池供电的仪器。图1显示，逻辑输入为1时，CBMG701的开关闭合，CBMG702的开关断开。开关通道打开时，每个开关在两个方向上都能同样良好地导通信号。
2023-04-24 10:14
导通电阻是二极管的重要参数，它是指二极管导通后两段电压与导通电流之比。生活中常用的测量
2022-01-29 15:49
导通电阻有时候也译成通态电阻。在同样的条件下，NMOSFET的导通电阻比PMOSFET要小。这是因为电子的
2020-07-14 11:41
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择
2019-06-19 08:49
在实际的计算中重要的是：导通电阻的值根据Io值中的导通电阻来计算。一般情况下在MOSFET的技术规格书中会给出导
2020-04-05 11:14
项目中最常用的为增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。由于NMOS其导通电阻小，且容易制造所以项目中大部分
2018-09-23 11:44
