减少开关电源的导通损耗是提升电源效率、降低能耗的关键环节。导通损耗主要来源于电流通过开关管、导线、二极管等元件时产生的功率损失。以下将从多个方面详细探讨如何减少开关电源
2024-08-07 15:06
MOS 管计算导通损耗时，应该用平均电流IAVG还是用电流有效IRMS值呢？
2023-07-19 15:46
该电路采用自举电荷泵为N 型功率管提供足够高的栅压， 以降低USB开关的导通损耗。
2011-09-22 18:03
IGBT模块的开关损耗（动态损耗）与导通损耗（静态损耗）的平衡优化是电力电子系统设计的核心挑战。这两种
2025-08-19 14:41
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分是LSource的实际电压。
2018-03-30 16:21
针对未来智慧功率器件和模组中需要集成实时温度传感功能的需求，团队提出了一种具有空穴通道和温度传感功能的低导通损耗的新型载流子存储沟槽栅双极晶体管(HP-CSTBT)。
2023-10-25 10:53
要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。
2023-08-21 09:28
电子发烧友网报道（文/莫婷婷）碳化硅（SiC）MOSFET已成为功率半导体行业技术演进的重要方向。相比其他现有技术，SiC MOSFET在性能上展现出显著优势，尤其在高压和高功率等应用场景中表现突出。其在新能源汽车、AI服务器等前沿领域展现出巨大的应用潜力，不仅有助于提升系统效率和功率密度，还为实现更紧凑、更节能的电力电子系统提供了有力支持，未来有望在这些高速发展的行业中发挥关键作用。 SiC行业竞争“白热化”：部分国际大厂调整布局
2025-06-10 09:07
日趋严格的CO2排放标准以及不断变化的公众和企业意见在加速全球电动汽车（EV）的发展。这为车载充电器（OBC）带来在未来几年巨大的增长空间，根据最近的趋势，到2024年的复合年增长率（CAGR（TAM））估计将达到37.6%或更高。对于全球OBC模块正在设计中的汽车，提高系统能效或定义一种高度可靠的新拓扑结构已成为迫在眉睫的挑战。
2021-05-01 09:21
