利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分是LSource的实际电压。
2018-03-30 16:21
日趋严格的CO2排放标准以及不断变化的公众和企业意见在加速全球电动汽车（EV）的发展。这为车载充电器（OBC）带来在未来几年巨大的增长空间，根据最近的趋势，到2024年的复合年增长率（CAGR（TAM））估计将达到37.6%或更高。对于全球OBC模块正在设计中的汽车，提高系统能效或定义一种高度可靠的新拓扑结构已成为迫在眉睫的挑战。
2021-05-01 09:21
开关电源内部主要损耗要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导
2022-03-21 17:31
功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。
2019-10-30 17:13
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导
2019-06-19 08:49
变压计算，不同人计算的感量为何不同？谁对谁错？变压器只要不饱和都不算错，但你得评估怎么样更合适，比如功率很小时一般在断续更合适（功率小，开关损耗占主要损耗，导通损耗占次
2018-09-06 14:38
设计电源时，工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下， 比如转换器在非连续导电模式（DCM）下工作时，若选择Rds（on）较小的MOSFET，芯片尺寸
2020-01-03 16:56
芯片的工作效率就变得尤为重要了。对于DC-DC芯片来说，很大一部分的工作效率的损失来自开关管的导通损耗及开关损耗。
2020-11-25 17:30
