IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在IGBT导通状态下，集电极（
2024-09-19 14:51
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种电力电子器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性。在电力电子领域，IGBT广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等设备中。
2024-09-19 14:46
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
2017-11-26 08:34
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
2018-08-31 09:36
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。
2018-08-31 10:06
二极管的导通压降是恒定不变的吗？它与正向扩散电流又存在什么样的关系？ 二极管是一种非线性电子元件，具有导通和截止两种状态。当二极管处于
2023-11-30 14:35
平时在选用二极管时，多数人会考虑导通压降、限流值等，往往会忽略一个很重要的现象：晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。那么应该如何理解PCM值？
2017-09-01 14:15
IGBT芯片采用领先的Trench+Fieldstop技术，业内首次将压降芯片的工作结温提高到150℃，并大幅降低了其导通压降
2020-12-09 10:37
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗和低导通压降的优点。
2023-04-15 14:23
