IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在IGBT导通状态下，集电极（
2024-09-19 14:51
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
2018-08-31 09:36
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。
2018-08-31 10:06
， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但
2017-04-27 08:49
下图复合三极管的输出电压U是下管E结导通压降减去C结压降与上管E结压
2021-01-23 09:11
低，mos管越有优势。导通压降，一般低压mos管使用都控制在0.5v以下（基本不会超过1v的）。比如ir4110，内阻4毫欧姆，给它100a的导通电流，
2017-05-24 09:19
降大、电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰怡有与之相反的特点，如电流控制、导通压降小、功率容里大等，二者复合，正所谓优势互补。 IGBT 管，或者IGBT模块的由来，
2018-05-18 13:12
白光的灯珠的导通压降一般都3V以上，两颗灯珠串联其压降6V以上，大于供电电源5V，因此，要点亮6颗白光LED灯珠，LED
2019-12-08 04:52
LED应用中的一个技术关键是提供与其特性相适应的电源或驱动电路。在照明应用中，现今的高亮度白光LED的工作电流可达150mA~3A，导通压降高达3~5V，以提供更高的亮度。
2019-12-26 16:18
