源漏区的单晶硅和栅极上的多晶硅即使在掺杂后仍然具有较高的电阻率，自对准硅化物(salicide)工艺能够同时减小源/漏电极和栅电极的薄膜电阻，降低接触电阻，并缩短与栅相关的RC延迟。另外，它避免了
2025-05-28 17:30
传感器未对准通常是在其反馈回路中使用MEMS惯性测量单元（IMU）的高性能运动控制系统的关键考虑因素。对于IMU中的陀螺仪，传感器未对准描述了每个陀螺仪的旋转轴与系统定义的惯性参考系（也称为全局系）之间的角度差。
2023-01-08 20:05
对于在反馈环路中采用MEMS惯性测量单元(IMU)的高性能运动控制系统，传感器对准误差常常是其关键考虑之一。
2016-11-05 03:56
但当芯片做到22纳米时，工程师遇到了大麻烦——用光刻机画接触孔时，稍有一点偏差就会导致芯片报废。 自对准接触技术（SAC） ，完美解决了这个难题。
2025-05-19 11:11
在芯片制造中，光刻技术在硅片上刻出纳米级的电路图案。然而，当制程进入7纳米以下，传统光刻的分辨率已逼近物理极限。这时， 自对准双重图案化（SADP） 的技术登上舞台， 氧化物间隔层切割掩膜 ，确保数十亿晶体管的精确成型。
2025-05-28 16:45
中国科学院大学集成电路学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期集成电路学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。在授课过程中，除教师系统地讲授外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。
2023-06-26 17:00
近期，富士通表示，公司已经研发出一种仅需通过摄像头对准资料，即可完成文件传输的神秘技术，该技术与二维码技术类似，以内嵌于终端的光带抓取图像信息，并实现文件的发送与接收。
2013-01-25 10:29
当两根光纤接续时，由于两光纤位置、形状、结构等的差异，造成能量并不能100%的从一根光纤进入另一根光纤，即会出现连接损耗。为了尽量地减小连接损耗，两根光纤之间必须精密对准。光纤连接器的主要作用是快速连接两根光纤，使光信号可以连续而形成光通路。而光纤连接器是如何来实现光纤的精准连接？
2020-03-02 10:50
光刻机的工作过程是这样的：逐一曝光完硅片上所有的场（field），亦即分步，然后更换硅片，直至曝光完所有的硅片；当对硅片进行工艺处理结束后，更换掩模，接着在硅片上曝光第二层图形，也就是进行重复曝光。其中，第二层掩模曝光的图形必须和第一层掩模曝光准确的套叠在一起，故称之为套刻。如图1所示，假设图中的虚线框为第一掩模经曝光的图形，实线框为第二个经曝光后的图形。从理论上讲，这两层图形应该完全重合，但实际上由于各种系统误差和偶然误差的存在，导致了这两层图形的位置发生了偏离，也就是通常所说的出现了套刻误差[1] 。
2018-01-18 11:40
