市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美
2019-07-31 08:33
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其
2019-06-25 07:41
三极管具有什么特性？什么是宽禁带半导体？
2021-06-08 07:09
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。那么具体什么是宽
2019-07-31 07:42
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高
2020-06-28 17:30
本文基于Agilent ADS仿真软件设计实现一款高效GaN宽禁带功率放大器，详细说明设计步骤并对放大器进行了测试，结果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz内实现功率15W以上，附加效率超过67％的输出。
2021-04-06 06:56
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移
2019-07-31 06:53
击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定以及抗辐射等优点， 特别适合制造高温、高频、高功率和抗辐射的功率器件。用宽
2019-08-12 06:59
本帖最后由 nogenius 于 2012-4-22 09:25 编辑 RT，求能输出极微小电流但输出电压能达到150v以上的恒流源设计电路，主要用作宽禁带半导体
2012-04-22 08:43
之一和全球第二大功率分立器件和模块半导体供应商，提供广泛的高能效和高可靠性的系统方案，并采用新型的宽禁带材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等进行新产品开发，用于汽
2019-07-23 07:30
